d458场效应管参数

关于D458场效应管的参数，以下是根据提供的信息整理的概述：

尺寸参数

最大外形尺寸 ：10.5mm×10.5mm

安装孔距 ：11.8mm×11.8mm 或 12.2mm×12.2mm

电性参数

工作电压 ：3.5V~7V

电断定电压 ：7V~10V

静态发射电流 ：2uA~20mA

负载电流 ：1uA~10mA

负载电阻 ：约1kΩ~50kΩ

最小工作时间 ：约0.5μs

工作温度 ：-20℃~+80℃

存储温度 ：-30℃~+85℃

工作环境湿度 ：约10%~95%RH

引线的平行度 ：约0.1mm

安装度角 ：约0.3°

特殊参数

外部外壳材料 ：塑料和金属，防水防尘

可塑性 ：低尘埃、低噪声、低温度可塑性

直流参数

饱和漏极电流 （IDSS）：当栅源电压为零时，漏源电压大于夹断电压时的漏极电流。

夹断电压 （UP）：使漏极电流减小到微小值（如1μA）所需的栅源电压。

开启电压 （UT）：使漏极电流达到某一数值（如10μA）所需的栅源电压。

直流输入电阻 （R GS）：栅源电压与产生的栅极电流之比，结型场效应管通常在10^6Ω以上，MOS管可达10^10Ω以上。

交流参数

低频跨导 （gm）：描述栅源电压对漏极电流的控制作用，单位是mA/V。

极间电容 ：包括C GS、C GD和C DS，值越小表示管子的高频性能越好，通常为几个pF。

极限参数

漏源击穿电压 ：漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的漏源电压。

栅极击穿电压 ：正常工作时，栅源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

以上参数概述了D458场效应管的主要特性和工作条件。

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